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P 沟道 30 V MOSFET

Vishay 的 30 V、 P 沟道 MOSFET 具有超低导通电阻,并采用超小型封装尺寸,以节省小巧紧凑型最终产品的板空间。

Vishay/Siliconix 的 Si8497DB 是采用 1 x 1.5 mm 超小型尺寸的 30 V 芯片级 MOSFET,导通电阻为 53 mΩ。Si8487DB 30 V 芯片级 MOSFET 提供 31 mΩ 的超低导通电阻,采用 1.6 x 1.6 mm 外形尺寸。低导通电阻意味着负载开关上的压降更低,从而减小笔记本电脑电池管理电路发生欠压闭锁的可能性。在手持式设备的充电器开关应用中,使用这些器件还能提高充电电流,缩短充电时间。

特性:

●TrenchFET® 功率 MOSFET

●超小外形

●超薄,最大厚度 0.60 mm

●超低导通电阻:31 mΩ

●低功耗

●电池寿命更长

●节省 PCB 空间

●无卤素,符合 RoHS 规范

芯天下提供几乎所有P 沟道 30 V MOSFET系列产品。

 

P 沟道 30 V MOSFET

型号 描述
SI8487DB-T1-E1MOSFET P-CH 30V (D-S) MICROFOOT
SI8497DB-T2-E1MOSFET P-CH D-S 30V MICROFOOT

By : sally