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NextPower 25 V 和 30 V MOSFET

NXP 推出一系列 LFPAK 中的高性能 N-沟道、逻辑电平 MOSFET

来自 NXP 的 NextPower 系列 MOSFET 提供独特的六个最重要参数的平衡特性，这对于最新的高效和高可靠性设计极其重要。性能更高，折衷更少。

许多竞争对手仅专注于优化 RDS(on) 和 Qg。随着 Qg 降低，Qoss 和 Qgd 导致的损失变得更加显著。NextPower 应用超结技术提供低 RDS(on)、低 Qoss、低 Qg(tot) 与 Qgd 间的最佳平衡，从而实现最佳开关性能。NextPower 带来了优越的 SOA 性能，低 Qoss 减少了输出"灌入和拉出"端子间的损失。NextPower 也带来极低的 RDS(on)，提供 25 V 和 30 V 下的 1 mΩ 类型。

LFPAK 封装具有 5 mm x 6 mm 紧凑型基底面，与其他 Power-SO8 供应商兼容，提供的是稳定可靠电源开关功能。LFPAK 的独特优势使其成为严苛应用或需要高可靠性应用下的最佳封装选择。LFPAK 也允许进行目视检查而无需昂贵的 X 光设备来探测焊接缺点，而这常见于 QFN 式 Power-SO8 封装中。

特性:

●高效的电源开关应用

●为 4.5 V 栅极驱动电压而优化

●低 Qoss，降低了灌入和拉出端子间的损失

●低 Qgd，降低了开关损失和高频开关需要

●优化了轻载和重载条件下的开关性能

●兼容其他供应商 Power-SO8 类型的 LFPAK 封装

●业内最低的 RDS(on) Power-SO8 - 在 25 V 和 30 V 低于 1 mΩ

●免除昂贵的 X 光检查 – 可对 LFPAK 焊接接点进行目视检测

●相比横向 MOSFET 类型，20 V 额定栅极可提供对电压瞬变更佳的容限

●与其他沟槽 MOSFET 供应商相比拥有优越的"安全操作区域"性能

应用:

●同步降压稳压器

●直流/直流转换

●电压稳压器模块 (VRM)

●电源冗余

芯天下提供几乎所有NextPower 25 V 和 30 V MOSFET系列产品。