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宽带功率 LDMOS 晶体管

BLF645 是一款适合 HF 到 1400 MHz 频率范围的 100 W LDMOS RF 功率推挽式晶体管

NXP 的 BLF645 按照多用途器件开发,并考虑了广播和 ISM 应用。 此器件基于 NXP 的 32 V LDMOS 技术,性能无与伦比,在 18 dB 增益下输出功率 > 100 W P1dB,在 1 到 1400 MHz 频率范围内能量转换效率达 56%。此器件采用推拉式封装,针对宽带操作进行了优化。

对于频率范围在 10 MHz 到 3.8 GHZ 的功率放大器, RF 横向扩散 MOS (LDMOS) 晶体管因其出色的功效、增益、效率、线性度、可靠性和低成本成为成熟的技术选择。此技术还适合用于广播和 ISM(工业、科学和医疗)领域的宽带应用,这些领域对带宽、耐用性和热电阻有特别的要求。

特点:

●整个器件在 1300 MHz、漏源电压 VDS 为 32 V、静态漏电流 IDq = 0.9 A 时的 CW 性能:①平均输出功率 = 100 W②功率增益 = 18 dB③能量转换效率 = 56%

●整个器件在 1300 MHz、漏源电压 VDS 为 32 V、静态漏电流IDq = 0.9 A 的双音性能:①峰值包络负载功率 = 100 W②功率增益 = 18 dB③能量转换效率 = 45%④互调失真 = -32 dBc

●集成 ESD 保护

●出色耐用性

●高功率增益

●高效

●出色的可靠性

●简单功率控制

●符合关于危险物质限制 (RoHS) 的 2002/95/EC 指令

芯天下提供几乎所有宽带功率 LDMOS 晶体管系列产品。

 

宽带功率 LDMOS 晶体管

型号描述
BLF645,112TRANSISTOR PWR LDMOS SOT540A

By : sally