Texas Instruments 的 MOSFET 可最大限度地降低功率转换应用中的损耗
Texas Instruments 的 CSD18531Q5A 器件是一款 60 V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET，可最大限度地降低功率转换应用中的损耗。这些 60 V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET 适用于 DC-DC 转换、次级侧同步整流器及电池电机控制应用。
特性:
●超低的 Qg 和 Qgd ●低热阻 ●额定雪崩 ●逻辑电平 ●无铅端子电镀、符合 RoHS 规范，且无卤素应用:
●DC-DC 转换 ●次级侧同步整流器 ●电池电机控制芯天下提供几乎所有CSD18531 NexFET 功率 MOSFET系列产品。
| 型号 | 包装 | 描述 |
|---|---|---|
| CSD18531Q5A | 卷带 (TR) | MOSFET N-CH 60V 8SON |
| 切带 (CT) |
By : sally